Силовая электроника, № 4’2015 Силовая элементная база Некоторые особенности конструирования Анна Синица Александр Глухов Станислав Скорняков skorn-stas@yandex.ru Абдулазиз Каримов karimov@uzsci.net Ахмад Рахматов rakhmatov@oaofoton.uz Введение Для защиты электронного оборудования от перегрузок по напряжению при воздействии электромагнитных импульсов естественного и искусственного происхождения практикуется применение так называемых TVSдиодов, а также полупроводниковых (кремниевых) ограничителей напряжения (ПОН). <...> В России налажено производство ПОН, рассчитанных на напряжения пробоя до 400 В и рассеяние импульсной мощности до 10 кВт. <...> В частности, существует несколько серий ПОН, рассчитанных на ограничение перенапряжений на уровне напряжений ограничения 7,5–500 В. <...> Предельный уровень рассеиваемой импульсной мощности серийных ограничителей 10 кВт — ограничитель напряжения 2Р486А с напряжением пробоя 400 В. <...> Зарубежные производители выпускают TVS-диоды, рассчитанные на рассеяние импульсной мощности до 90 кВт. <...> Требуемое рабочее напряжение получают путем параллельной и последовательной коммутации диодов с соответствующими напряжениями пробоя. <...> Допускается последовательное соединение любого числа однотипных ограничителей напряжения. <...> Аналогичным образом достигается повышение мощности отдельных ПОН: арматура таких ограничителей содержит цепочки спаянных последовательно кристаллов — кремниевых р-n-структур [6–8]. <...> Теплоотвод обеспечивается за счет спаянных с кристаллами дисков из металла с высокими теплоемкостью и теплопроводностью, обычно медных, покрытых серебром. <...> Последовательным соединением кристаллов достигается также и другая цель — разработка ПОН с высоким (обычно выше 100 В) напряжением пробоя. <...> Например, в патенте [10] представлено изобретение, технический результат которого — создание высоковольтного «сверхмощного» полупроводникового ограничителя напряжения. <...> Согласно описанию, в предлагаемом полупроводниковом <...>