Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634840)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Силовая электроника  / №2(59) 2016

Оценка стойкости диодов Wolfspeed SiC Шоттки к dV/dt с помощью генератора импульсов на основе лавинного транзистора (50,00 руб.)

0   0
Первый авторКарташов Евгений
АвторыЛебедев Андрей
Страниц4
ID388752
АннотацияПоявление более 10 лет назад коммерческих диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC Шоттки) позволило значительно улучшить характеристики таких устройств, как корректоры коэффициента мощности (PFC) и инверторы приводов. Этого удалось достичь благодаря отсутствию у SiC-приборов заряда обратного восстановления не основных носителей и соответствующему снижению уровня коммутационных потерь, свойственных традиционным PiN-диодам.
Карташов, Е. Оценка стойкости диодов Wolfspeed SiC Шоттки к dV/dt с помощью генератора импульсов на основе лавинного транзистора / Е. Карташов, Андрей Лебедев // Силовая электроника .— 2016 .— №2(59) .— С. 20-23 .— URL: https://rucont.ru/efd/388752 (дата обращения: 27.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Силовая электроника, № 2’2016 Силовая элементная база Оценка стойкости диодов Wolfspeed SiC Шоттки к dV/dt с помощью генератора импульсов на основе лавинного транзистора Перевод: Евгений Карташов Андрей Лебедев cree@macrogroup.ru оявление более 10 лет назад коммерческих диодов Шоттки на основе карбида кремния (SiC Шоттки) позволило значительно улучшить характеристики таких устройств, как корректоры коэффициента мощности (PFC) и инверторы приводов. <...> Этого удалось достичь благодаря отсутствию у SiC-приборов заряда обратного восстановления не основных носителей и соответствующему снижению уровня коммутационных потерь, свойственных традиционным PiN-диодам. <...> Широкое распространение SiC-диодов Шоттки было несколько затруднено из-за проблем с надежностью, связанных с ограничениями по параметру dV/dt. <...> П Первоначальные исследования этой проблемы в отношении SiC-диодов Шоттки с напряжением 600 В выявили, что верхний предел dV/dt у них составляет 55–60 В/нс. <...> Поскольку в этих опытах участвовали SiC-диоды, производимые не компанией Wolfspeed, то последующие исследования проводили специалисты Wolfspeed на собственных компонентах [1, 2]. <...> Их анализ показал, что диоды Wolfspeed могут выдерживать скорость включения 75 В/нс и выключения 100 В/нс в течение более 100 тыс. циклов без разрушения. <...> В данной работе дано описание скоростного высоко вольтного генератора импульсов, используемого для оценки стойкости карбидокремниевых диодов компании Wolfspeed к dV/dt. <...> Поскольку диоды Wolfspeed не выходили из строя во время предварительного тестирования с использованием типовых параметров, для определения их предельных свойств необходимо разработать более быстродействующий генератор импульсов. <...> В оригинальных экспериментах, выполняемых Wolfspeed, время переключения составляет примерно 5 нс. <...> Генератор со временем переключения, приближающимся к 1 нс, может быть изготовлен с использованием доступных в настоящее время лавинных транзисторов и транзисторов Wolfspeed C2M SiC MOSFET. <...> Разработка <...>