Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634558)
Контекстум
.
Силовая электроника  / №2(59) 2016

Силовые диоды, транзисторы и модули компании Microsemi (50,00 руб.)

0   0
Первый авторВерхулевский Константин
Страниц7
ID388751
АннотацияАктивная деятельность Microsemi на рынке электронных компонентов, включающая в себя как производство новых устройств, так и поглощение профильных компаний, выпускающих интересные и перспективные изделия, приводит к тому, что ассортимент выпускаемой компанией продукции постоянно расширяется. В настоящее время спектр предлагаемых Microsemi полупроводниковых устройств простирается от обычных дискретных полупроводниковых приборов до высокоинтегрированных ИС, выполняющих функции обработки, передачи и хранения информации. Но у многих разработчиков название Microsemi ассоциируется, прежде всего, с силовыми диодами, транзисторами и модулями на их основе.
Верхулевский, К. Силовые диоды, транзисторы и модули компании Microsemi / К. Верхулевский // Силовая электроника .— 2016 .— №2(59) .— С. 12-18 .— URL: https://rucont.ru/efd/388751 (дата обращения: 19.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Силовая электроника, № 2’2016 Силовая элементная база Силовые диоды, транзисторы и модули компании Microsemi Активная деятельность Microsemi на рынке электронных компонентов, включающая в себя как производство новых устройств, так и поглощение профильных компаний, выпускающих интересные и перспективные изделия, приводит к тому, что ассортимент выпускаемой компанией продукции постоянно расширяется. <...> Константин Верхулевский info@icquest.ru Введение Силовая электроника — интенсивно развивающаяся область науки и техники. <...> Приборы силовой электроники представляют собой мощные электронные устройства, работающие, как правило, в импульсных режимах и позволяющие изменением алгоритмов их переключения управлять усредненными значениями мгновенной мощности по требуемым законам. <...> Наблюдаемый в последние годы на мировом рынке повышенный спрос на изделия силовой электроники и соответствующая активность в области их разработок и производства обусловлены тем, что именно они во многих случаях являются основой для создания современного высокотехнологичного оборудования [1]. <...> Прогресс в современной силовой электронике тесно связан со значительным улучшением параметров мощных, практически «идеальных» ключей на базе полевых транзисторов (MOSFET) и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), быстродействующих диодов и силовых модулей. <...> В основном это достигается совершенствованием технологий изготовления и использованием широкозонных ма10 териалов (карбида кремния, нитрида галлия) при создании мощных приборов с требуемыми характеристиками. <...> В области напряжений 200–1000 В рынок уверенно завоевывают MOSFET, модули и интеллектуальные силовые ИС на их основе, вытесняя биполярные транзисторы. <...> Это, в первую очередь, связано с отличными эксплуатационными характеристиками MOSFET: высокой скоростью коммутации, низкими статическими и динамическими потерями, малой мощностью управления, высокой стойкостью к перегрузкам <...>