Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634160)
Контекстум
.
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №2 2016

Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям (154,00 руб.)

0   0
Первый авторЧаплыгин
АвторыКрупкина Т.Ю., Красюков А.Ю., Артамонова Е.А.
Страниц6
ID376636
АннотацияПроведен анализ особенностей использования средств приборнотехнологического моделирования для расчета электрических характеристик элементов интегральных схем в условиях различных внешних воздействий. Выявлены особенности моделей, оказывающие наиболее сильное влияние на результаты моделирования.
УДК621.382.32
Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям / Ю.А. Чаплыгин [и др.] // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2016 .— №2 .— С. 39-44 .— URL: https://rucont.ru/efd/376636 (дата обращения: 16.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УДК 621.382.32 Приборно-технологическое моделирование элементов интегральной электроники с повышенной стойкостью к внешним воздействиям Ю.А. Чаплыгин, Т.Ю. Крупкина, А.Ю. Красюков, Е.А. Артамонова Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Device-Technological Modeling of Integrated Circuit Electronics Elements with Improved Endurance to External Influences Y.A. <...> Artamonova National Research University of Electronic Technology, Moscow Проведен анализ особенностей использования средств приборнотехнологического моделирования для расчета электрических характеристик элементов интегральных схем в условиях различных внешних воздействий. <...> Ключевые слова: приборно-технологическое моделирование; саморазогрев; лавинный пробой; накопленная радиация; сужение запрещенной зоны. <...> Работа элементов интегральной электроники существенно зависит от внешних факторов – температуры, электрического поля, радиации. <...> Повышение температуры среды приводит к уменьшению тока таких элементов интегральной электроники, как МДП-транзисторы, а также к увеличению тока биполярных транзисторов. <...> В элементах силовой электроники, КНИ-транзисторах, влияние температуры проявляется в виде эффекта саморазогрева, который может привести к разрушению прибора [1]. <...> Рост электрического поля в МДП-транзисторах приводит к насыщению дрейфовой скорости носителей и уменьшению тока прибора. <...> Электрическое поле вызывает лавинный пробой pn-переходов в обратном включении, что важно для элементов интегральной силовой электроники, например планарных силовых транзисторов для интеллектуальных силовых ИС. <...> При радиационном воздействии в элементах интегральной электроники происходит накопление избыточного и неравновесного заряда, который нарушает функциони Ю.А. Чаплыгин, Т.Ю. Крупкина, А.Ю. Красюков, Е.А. Артамонова, 2016 Известия вузов. <...> Примером такого воздействия может служить накопление положительного заряда в толстом слое скрытого оксида для КНИ-МОПтранзисторов, вызывающее возникновение паразитного канала на границе <...>