Сауров1,5 1НПК «Технологический центр» (г. Москва) 2Национальный исследовательский университет «МИЭТ» 3ФГКУ «Войсковая часть 68240» (г. Москва) 4Институт проблем управления им. <...> В.А. Трапезникова РАН (г. Москва) 5Институт нанотехнологий микроэлектроники РАН (г. Москва) Development of Magneto-Semiconductor Microsystems Technology V.V.Amelichev1,2, I.E.Abanin1, V.V.Aravin3, D.V.Kostyuk1,2, S.I.Kasatkin4, A.A.Reznev3, A.N.Saurov1,5 1SMC «Technological centre», Moscow 2National Research University of Electronic Technology, Moscow 3FGSI «Mp 68240», Moscow 4V.A. <...> Trapeznikov Institute of control sciences of Russian Academy of Sciences, Moscow 5INME RAS, Moscow Представлены результаты развития технологий магнитополупроводниковых микросистем на основе многослойных тонкопленочных магниторезистивных наноструктур. <...> Дан краткий обзор основных достижений в области создания магнитометрических приборов на основе анизотропного и гигантского магниторезистивных эффектов. <...> Ключевые слова: анизотропный магниторезистивный эффект; гигантский магниторезистивный эффект; магниторезистивная наноструктура; магнитополупроводниковая микросистема; тонкопленочная технология. <...> The results of the development of technologies for magnetic semiconductor chips based on thin-film magnetoresistive multilayer nanostructures are presented. <...> A brief overview of the main achievements in the field of magnetometric devices based on anisotropic and giant magnetoresistive effect is made. <...> Keywords: anisotropic magnetoresistive effect; giant magnetoresistive effect; magnetoresistive nanostructure; magneto-semiconductor microsystem; thin film technology. <...> Ведутся работы по созданию запоминающих устройств с произвольной выборкой, логических наноэлементов, датчиков и преобразователей магнитного поля и тока, считывающих головок, гальванических развязок, спиновых тран В.В. Амеличев, И.Е. Абанин, В.В.Аравин, Д.В. Костюк, С.И.Касаткин, А.А. Резнев, А.Н.Сауров, 2015 Известия вузов. <...> Магнитополупроводниковые микросистемы появились в результате синтеза двух технологий – магниторезистивной, на основе тонких пленок, и полупроводниковой, на основе кремниевых интегральных структур. <...> К уникальным характеристикам элементов на основе магниторезистивных наноструктур следует отнести неограниченное число циклов <...>