Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634794)
Контекстум
.
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №5 2015

Детекторы терагерцового излучения на основе массивов полевых наногетероструктурных (154,00 руб.)

0   0
Первый авторЕрмолаев
АвторыЗемляков В.Е., Егоркин В.И.
Страниц8
ID376595
АннотацияПриведены результаты исследований терагерцовых детекторов с пространственной последовательно и параллельно соединенной транзисторной структурой на основе арсенид-галлиевой наногетероструктуры с асимметричным Т-образным затвором в каждом транзисторе. Показано, что детекторы демонстрируют фототоковый и фотовольтаический/фотопроводящий терагерцовые отклики без использования дополнительных антенных элементов. Измерена чувствительность свыше 1000 В/Вт и 50 мА/Вт соответственно для последовательного и параллельного соединения транзисторов. Получена эквивалентная мощность шума ниже 10–11 Вт/Гц0,5.
УДК621.315.592
Ермолаев, Д.М. Детекторы терагерцового излучения на основе массивов полевых наногетероструктурных / Д.М. Ермолаев, В.Е. Земляков, В.И. Егоркин // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №5 .— С. 33-40 .— URL: https://rucont.ru/efd/376595 (дата обращения: 25.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УДК 621.315.592 Детекторы терагерцового излучения на основе массивов полевых наногетероструктурных AlGaAs/InGaAs/GaAs транзисторов Д. <...> Шаповал1 1Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов РАН (г. Черноголовка) 2Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Terahertz Radiation Detectors Based on Arrays of Field Nanoheterostructure AlGaAs/InGaAs/GaAs Transistors D.M. <...> Shapoval1 1Institute of Technology of Microelectronics and Particularly Pure Materials Of RAS, Chernogolovka 2National Research University of Electronic Technology, Moscow Приведены результаты исследований терагерцовых детекторов с пространственной последовательно и параллельно соединенной транзисторной структурой на основе арсенид-галлиевой наногетероструктуры с асимметричным Т-образным затвором в каждом транзисторе. <...> Измерена чувствительность свыше 1000 В/Вт и 50 мА/Вт соответственно для последовательного и параллельного соединения транзисторов. <...> It has been shown that the photovoltaic/photoconductive detectors demonstrate terahertz responses without using additional antenna elements. <...> The sensitivity of up to 1000 V/W and 50 mA/W for the serial and parallel connection of transistors has been measured. <...> Нелинейные свойства плазмонных возбуждений в двумерном электронном канале полевого транзистора (ПТ) могут использоваться для детектирования терагерцового излучения [1]. <...> Плазмонные терагерцовые детекторы на ПТ могут работать в широком диапазоне терагерцовых частот и температур окружающей среды и имеют хороший баланс между чувствительностью и добротностью [2, 3]. <...> Для получения ненулевого терагерцового отклика на ПТ обязательно наличие асимметрии электронного канала ПТ. <...> Обычно такая асимметрия создается путем асимметрии ввода терагерцового излучения в канал ПТ со стороны истока или со стороны стока [4] либо путем задания постоянного тока стока через канал ПТ [5]. <...> Размеры ПТ на два или даже три порядка величины меньше длины волны терагерцового излучения, поэтому требуются специальные антенные элементы для эффективного связывания терагерцового излучения с плазмонными колебаниями в канале ПТ [2, 3, 6]. <...> Однако дополнительная антенна не является <...>