УДК 621.3.049.77.002 Разработка и исследование МДП-варикапов с переносом заряда Ю. <...> Litsoev2 1Federal State Unitary Enterprise «NIIMP-K», Moscow 2National Research University of Electronic Technology, Moscow Предложен новый тип двухэлектродного МДП-варикапа с переносом заряда. <...> Показано, что в приборе данного типа отсутствуют отрицательные эффекты, связанные с процессами термогенерации и накопления неосновных носителей. <...> Это позволяет повысить предельную частоту и улучшить температурную стабильность работы варикапа. <...> Экспериментально измеренные характеристики варикапов согласуются с результатами расчетов. <...> A new type of the two-electrode MIS varicap – varicap with the charge transfer – has been proposed. <...> It has been shown that in the device of the given type the negative effects, related to the processes of thermal generation and the accumulation of minority carriers, are absent, which enables to increase the limiting frequency and to improve the temperature stability of the varicap operation. <...> Приборы, у которых емкость зависит от управляющего напряжения, используются во многих радиотехнических устройствах. <...> Варикап с двумя стабильными значениями емкости может применяться в цифровых устройствах в качестве емкостного ключа. <...> В большинстве СВЧ-схем управления частотой и фазой переменного сигнала используются p i n-диоды [1]. <...> Основной недостаток данного активного элемента высокие потери мощности на управление состоянием прибора. <...> Варикапы на основе МДП-структуры не имеют этого недостатка. <...> Однако минимальное значение емкости у стационарных МДП-варикапов недостаточно стабильно, что связано с процессами термогенерации неосновных носителей заряда в области пространственного заряда полупроводника и в квазинейтральном объеме. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 4 2015 391 Ю.В. Сурин, А.Б. Спиридонов, С.В. Лицоев При разработке МДП-варикапов в работе [2] предлагается устранить эффекты, связанные с термогенерацией, путем использования в качестве рабочего диэлектрика материала с контролируемой утечкой. <...> Наличие утечки в диэлектрике препятствует образованию инверсионного слоя в приповерхностной области полупроводника, и вольтфарадная характеристика <...>