УДК 621.382.323 Анализ средствами TCAD токов утечки 45-нм МОП транзисторной структуры с high-k диэлектриком К. <...> Харитонов1 1Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики» (Московский институт электроники и математики) 2Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (г. Москва) Leakage Currents Analysis of 45 nm MOSFET Structure with High-k Dielectric by TCAD K.O. <...> Kharitonov1 1National Research University «Higher School of Economics» (Moscow Institute of Electronics and Mathematics) 2Institute of Design Problems in Microelectronics of the Russian Academy of Scienes, Moscow Проведено тестирование встроенных в Sentaurus TCAD моделей электрофизических эффектов. <...> Выбраны модели, обеспечивающие адекватное описание глубокосубмикронных МОПТ-структур с high-k диэлектриком затвора. <...> Рассчитаны токи утечки 45-нм МОПТ-структуры с поликремниевым затвором и SiO2, SiO2/HfO2, HfO2 диэлектриком затвора. <...> Показано, что замена традиционного диэлектрика SiO2 на эквивалентный ему диэлектрик HfO2 на несколько порядков уменьшает ток утечки затвора за счет исключения влияния эффекта туннелирования. <...> При этом пороговое напряжение, ток насыщения, подвижность носителей в канале, крутизна ВАХ деградируют в допустимых пределах 10–20%. <...> The models of electro-physical effects built-into Sentaurus TCAD have been tested. <...> The models providing an adequate modeling of deep submicron high-k MOSFETs have been selected. <...> The gate and drain leakage currents for 45 nm MOSFET with PolySi gate and SiO2, SiO2/HfO2 and HfO2 gate dielectrics have been calculated using TCAD. <...> It has been shown that the replacement of traditional SiO2 gate by an equivalent HfO2 dielectric considerably reduces the gate leakage current by several orders due to elimination of the tunneling effect influence. <...> Основным материалом, используемым в качестве подзатворного диэлектрика в МОПТ К.О. Петросянц, Д.А. Попов, Л.М. Самбурский, И.А. Харитонов, 2015 38 Известия вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том <...>