Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635051)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Известия высших учебных заведений. Электроника  / №1 2015

Влияние нестационарных воздействий на концентрационную микронеоднородность при выращивании кристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации (154,00 руб.)

0   0
Первый авторДормидонтов
Страниц6
ID376541
АннотацияИсследовано влияние нестационарных воздействий в ростовой установке на образование концентрационных микронеоднородностей примеси в кристаллах, выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации. Рассчитана концентрационная микронеоднородность при погрешности поддержания температурного профиля в печи в пределах 0,01 – 0,5 К и неравномерном перемещении тигля с шагом от 0,1 до 100 мкм. Даны рекомендации по уменьшению концентрационной микронеоднородности в кристаллах.
УДК53.072
Дормидонтов, А.Н. Влияние нестационарных воздействий на концентрационную микронеоднородность при выращивании кристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации / А.Н. Дормидонтов // Известия высших учебных заведений. Электроника .— 2015 .— №1 .— С. 17-22 .— URL: https://rucont.ru/efd/376541 (дата обращения: 05.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УДК 53.072 Влияние нестационарных воздействий на концентрационную микронеоднородность при выращивании кристаллов методом вертикальной направленной кристаллизации А.Н. Дормидонтов Национальный исследовательский университет «МИЭТ» Influences of Non-Stationary Equipment Conditions on Concentration Microinhomogeneity at the Vertical Directed Crystals Growth A.N. <...> Dormidontov National Research University of Electronic Technology Исследовано влияние нестационарных воздействий в ростовой установке на образование концентрационных микронеоднородностей примеси в кристаллах, выращенных методом вертикальной направленной кристаллизации. <...> Рассчитана концентрационная микронеоднородность при погрешности поддержания температурного профиля в печи в пределах 0,01 – 0,5 К и неравномерном перемещении тигля с шагом от 0,1 до 100 мкм. <...> Ключевые слова: выращивание полупроводниковых кристаллов; метод вертикальной направленной кристаллизации; полосы роста; численное моделирование. <...> The influence of the non-stationary effects in the growth equipment on formation of the concentration microinhomogeneities of impurity in crystals, grown by the method of vertical directed crystallization, has been investigated. <...> The concentration microinhomogeneity has been numerically calculated with the furnace temperature profile control error within 0.1 to 0.5 K and with the non-stationary movement of the crucible with the step from 0.1 to 100 microns. <...> The recommendations for reducing the concentration microinhomogeneity in crystals have been given. <...> Результаты экспериментов по выращиванию кристаллов полупроводников и полупроводниковых соединений показывают, что методы вертикальной направленной кристаллизации позволяют получать кристаллы с высоким структурным совершенством [1, 2]. <...> Это достигается благодаря возможности задавать необходимый осевой температурный профиль вдоль тигля, который контролируется на протяжении всего процесса роста кристалла. <...> Однако нестационарные воздействия со стороны оборудования приводят  А.Н. Дормидонтов, 2015 Известия вузов. <...> ЭЛЕКТРОНИКА Том 20 № 1 2015 17 А.Н. Дормидонтов к флуктуациям температуры и нарушают технологический процесс. <...> Образование микроскопических неоднородностей состава кристалла, так называемых полос роста, – одно <...>