52, № 3 ФИЗИКО-ТЕХНИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ МИКРО- И ОПТОЭЛЕКТРОНИКИ УДК 539.211 + 538.975 ЗАРОЖДЕНИЕ ДВУМЕРНЫХ ОСТРОВКОВ Si ВБЛИЗИ МОНОАТОМНОЙ СТУПЕНИ НА АТОМНО-ЧИСТОЙ ПОВЕРХНОСТИ Si(111)-(7Ч7)∗ Д. <...> Пирогова, 2 E-mail: rogilo@isp.nsc.ru Методом in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии исследован процесс зарождения 2D-островков вблизи моноатомной ступени на начальной стадии нию W2 ∝ R−χ с показателем χ = 1,18 и χ = 0,63 при температурах 650 и 680 ◦C соответственно. <...> Показано, что изменение χ связано со структурой ступени, обеспечивающей смену кинетики роста от лимитированной встраиванием адатомов в ступень к лимитированной их диффузией. <...> Конкуренция процессов зарождения и стока в ступень приводит к увеличению размера критического зародыша частицы от i = 1 вдали от ступени до i = 3–5 вблизи неё и i = 6–8 на террасе критической ширины для 2D-зарождения. роста Si на поверхности Si(111)-(7 Ч 7). <...> Зависимость ширины зоны обеднения W вблизи ступени, где островки не зарождаются, от скорости осаждения R подчиняется соотношеКлючевые слова: кремний, эпитаксиальный рост, двумерные островки, атомные ступени, критический зародыш, поверхностная диффузия, отражательная электронная микроскопия. <...> Управление процессами, протекающими на поверхности при эпитаксиальном росте в неравновесных условиях и зачастую приводящими к её морфологической неустойчивости, и контроль за ними являются необходимыми условиями создания различных низкоразмерных структур. <...> Однако проектирование заданной морфологии растущей структуры становится возможным лишь при глубоком понимании атомных процессов на поверхности кристалла [1–4]. <...> Согласно современным теоретическим представлениям кинетика движения моноатомных ступеней, обусловленная их взаимодействием с адатомами, есть ключевой процесс, определяющий эволюцию морфологии поверхности, которая приводит к возникновению эшелонов (сгустков) ступеней, холмов, пирамид и других элементов развитого рельефа [1, 2 <...>