88 ФОТОЭЛЕКТРОНИКА УДК 621.383.4/5 Исследования спектральных зависимостей коэффициента поглощения в слоях InGaAs Н. И. <...> Яковлева, А. В. Никонов Проведены исследования и расчеты коэффициента поглощения для структур InGaAs, выращенных эпитаксией из металлоорганических соединений из газовой фазы (MOCVD), а также сравнение экспериментальных данных с теоретической моделью спектра поглощения, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов. <...> Проведен графический расчет ширины запрещенной зоны по наклону экспериментальной характеристики поглощения. <...> Dw Ключевые слова: InGaAs, MOCVD, диэлектрическая проницаемость, эпитаксия, коэффициент поглощения, зона Бриллюэна, расчет, экспериментальные данные. <...> Введение Целью данной работы являлось исследоваВ последние годы огромный интерес вызывают полупроводниковые гетероструктуры InGaAs различной архитектуры, используемые для фотоприемных устройств (ФПУ) с высокими фотоэлектрическими параметрами [1—3]. <...> Спектральные характеристики токовой чувствительности фотоприемных устройств на основе InGaAs показывают, что на сегодняшний день это лучший материал коротковолнового ИК-диапазона спектра для приборов ночного видения и волоконно-оптических линий связи [4]. <...> Тройные соединения InGaAs имеют ширину запрещенной зоны от 0,35 эВ (3,5 мкм) для InAs до 1,43 эВ (0,87 мкм) для GaAs. <...> Изменяя состав раствора поглощающего слоя InGaAs, можно достичь максимума токовой чувствительности для желаемой длины волны при высоком отношении сигнал/шум. зам. зав. <...> Статья поступила в редакцию 15 марта 2016 г. © Яковлева Н. И., Никонов А. В., 2016 ние и расчет спектральной зависимости коэффициента поглощения для эпитаксиальных слоев InGaAs, а также сравнение экспериментальных данных с теоретической моделью спектра поглощения, основанной на явлении собственного поглощения и общей теории прямых межзонных оптических переходов. <...> Исследуемые структуры Исследуемые гетероэпитаксиальные <...>