82 Прикладная физика, 2016, № 1 Фотоэлектроника УДК 621.383 Эпитаксиальные структуры для лавинных фотодиодов на основе InGaAs/InP А. К. <...> Будтолаев, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Ю. Л. Рябоштан, П. Е. Хакуашев, И. В. Чинарева, И. В. Яроцкая В настоящей работе приведены экспериментальные исследования влияния режимов МОСгидридной эпитаксии на структурные и электрофизические свойства гетероструктур InGaAs/InP. <...> Выбранные режимы использовались для выращивания приборных структур, на которых изготовлены планарные лавинные фотодиоды. <...> По результатам измерения их фотоэлектрических характеристик был сделан вывод о возможности использования разработанных структур для изготовления планарных лавинных фотодиодов. <...> Введение Известно, что лавинные фотодиоды (ЛФД), изготовленные на основе эпитаксиальных гетероструктур (ГС) InGaAs/InP и обеспечивающие фоточувствительность в спектральном диапазоне 0,9—1,7 мкм, имеют улучшенные параметры в части темновых токов и быстродействия по сравнению с традиционными p–i–n-фотодиодами и позволяют регистрировать сверхслабые сигналы излучения [1, 2]. <...> Для достижения улучшенных характеристик приборов необходимо выполнение ряда требований при создании ГС, к которым, в первую очередь, относятся: прецизионный контроль состава и Будтолаев Андрей Константинович, вед. инженер-технолог. <...> E-mail: bereg@niipolyus.ru Статья поступила в редакцию 8 февраля 2016 г. © Будтолаев А. К., Горлачук П. В., Ладугин М. А., Мармалюк А. А., Рябоштан Ю. Л., Хакуашев П. Е., Чинарева И. В., Яроцкая И. В., 2016 толщины эпитаксиальных слоев (ЭС) в процессе их формирования и обеспечение однородности состава твердого раствора по площади пластины. <...> Необходимым и важным требованием является также обеспечение высокой чистоты поглощающего активного слоя и низкого уровня фоновой концентрации носителей заряда в нем для снижения темновых токов и повышения чувствительности фотоприемного устройства. <...> С этой целью в качестве эпитаксиального метода <...>