№ 1 РАДИОФИЗИКА, ЭЛЕКТРОНИКА, АКУСТИКА Влияние состава пучка кластерных ионов на дефектообразование в мишени А. <...> Исследовано образование дефектов в пленках кремния на сапфире под действием облучения пучком газовых кластерных ионов аргона с энергией 30 кэВ. <...> С помощью методики обратного резерфордовского рассеяния в режиме каналирования обнаружено образование существенного количества дефектов в объеме образца при облучении не сепарированным по массе пучком кластерных ионов. <...> При удалении из пучка атомарных и легких кластерных ионов осуществляется бездефектное травление образцов. <...> Введение В последнее десятилетие среди ионно-пучковых методик модификации и исследования поверхности активно развивается направление, связанное с использованием газовых кластерных ионов. <...> Газовые кластеры содержат от нескольких атомов до нескольких десятков тысяч атомов, связанных силами Ван-дер-Ваальса. <...> При ионизации электронным ударом кластерный ион приобретает заряд, составляющий несколько единиц элементарного заряда, и затем ускоряется обычно до энергий 1–30 кэВ. <...> При этом за счет большого размера кластера энергия составляющих кластер атомов значительно меньше энергии ионов мономеров, ускоренных до такой же энергии. <...> Кроме того, в отличие от атомарных ионов, при ударе ускоренного кластера о поверхность большое количество слабо связанных атомов, составляющих кластер, взаимодействует с как минимум таким же количеством атомов мишени. <...> Газовые кластерные ионы уже нашли широкое применение для имплантации вещества на сверхмалые глубины, для ассистирования при нанесении тонких пленок, для придания поверхности гидрофильных/гидрофобных свойств или свойств биосовместимости, в качестве зонда в методике вторичной ионной масс-спектрометрии (ВИМС) [1]. <...> За счет специфических угловых распределений распыленного вещества и зависимости коэффициента распыления от угла падения кластера при облучении поверхности <...>