Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 524272)
Консорциум Контекстум Информационная технология сбора цифрового контента
Уважаемые СТУДЕНТЫ и СОТРУДНИКИ ВУЗов, использующие нашу ЭБС. Рекомендуем использовать новую версию сайта.
Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия  / №1 2016

Суперкомпьютерное моделирование процесса напыления тонких пленок диоксида кремния с использованием программы LAMMPS (60,00 руб.)

0   0
Первый авторГорох
АвторыГригорьевa Ф.В., Каткова Е.В., Сулимов А.В., Шарапова С.А.
Страниц5
ID367533
АннотацияМетодом классической молекулярной динамики проведено суперкомпьютерное моделирование процесса высокоэнергетического напыления (ion beam sputtering) тонких пленок диоксида кремния. Обсуждаются особенности используемого в рамках программы LAMMPS метода напыления. Проведен структурный анализ полученной пленки (плотность в зависимости от толщины, радиальная функция распределения, среднее расстояние связи Si–O, концентрация точечных дефектов различных видов).
УДК539.231.
Суперкомпьютерное моделирование процесса напыления тонких пленок диоксида кремния с использованием программы LAMMPS [Электронный ресурс] / Горох [и др.] // Вестник Московского университета. Серия 3. Физика. Астрономия .— 2016 .— №1 .— С. 89-93 .— Режим доступа: https://rucont.ru/efd/367533

Предпросмотр (выдержки из произведения)

№ 1 ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ ВЕЩЕСТВА Суперкомпьютерное моделирование процесса напыления тонких пленок диоксида кремния с использованием программы LAMMPS А. А. <...> Методом классической молекулярной динамики проведено суперкомпьютерное моделирование процесса высокоэнергетического напыления (ion beam sputtering) тонких пленок диоксида кремния. <...> Обсуждаются особенности используемого в рамках программы LAMMPS метода напыления. <...> Проведен структурный анализ полученной пленки (плотность в зависимости от толщины, радиальная функция распределения, среднее расстояние связи Si–O, концентрация точечных дефектов различных видов). <...> Введение Напыление тонких пленок осаждением на подложку высокоэнергетических атомов кремния (10–100 эВ) в настоящее время является одним из перспективных методов, позволяющих получить плотную и однородную пленку [1], что важно с точки зрения ее оптических свойств. <...> Параметры процесса напыления (энергия и угловое распределение осаждаемых атомов, температура подложки и др.) во многом определяют структурные свойства пленок, важные в практическом использовании. <...> Вследствие этого использование математического моделирования для изучения влияния параметров процесса напыления на свойства получаемых пленок представляется целесообразным. <...> Основными проблемами при моделировании процесса напыления являются малая скорость роста пленки — около 0.3 нм/с [2] и большие размеры атомистических кластеров, необходимых для исследования значимых неоднородностей структуры с характерным размером в десятки нм. <...> Вследствие этого плотность потока осаждаемых атомов при моделировании существенно выше, чем в эксперименте. <...> В рамках схемы, разработанной в [3, 4] для пленок диоксида кремния, процесс напыления организован как последовательность коротких (длительность 6–10 пс) молекулярно-динамических запусков. <...> В начале каждого запуска осаждаемые атомы кремния и кислорода в количественном соотношении <...>