№ 1 ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННОГО СОСТОЯНИЯ ВЕЩЕСТВА Суперкомпьютерное моделирование процесса напыления тонких пленок диоксида кремния с использованием программы LAMMPS А. А. <...> Методом классической молекулярной динамики проведено суперкомпьютерное моделирование процесса высокоэнергетического напыления (ion beam sputtering) тонких пленок диоксида кремния. <...> Обсуждаются особенности используемого в рамках программы LAMMPS метода напыления. <...> Проведен структурный анализ полученной пленки (плотность в зависимости от толщины, радиальная функция распределения, среднее расстояние связи Si–O, концентрация точечных дефектов различных видов). <...> Введение Напыление тонких пленок осаждением на подложку высокоэнергетических атомов кремния (10–100 эВ) в настоящее время является одним из перспективных методов, позволяющих получить плотную и однородную пленку [1], что важно с точки зрения ее оптических свойств. <...> Параметры процесса напыления (энергия и угловое распределение осаждаемых атомов, температура подложки и др.) во многом определяют структурные свойства пленок, важные в практическом использовании. <...> Вследствие этого использование математического моделирования для изучения влияния параметров процесса напыления на свойства получаемых пленок представляется целесообразным. <...> Основными проблемами при моделировании процесса напыления являются малая скорость роста пленки — около 0.3 нм/с [2] и большие размеры атомистических кластеров, необходимых для исследования значимых неоднородностей структуры с характерным размером в десятки нм. <...> Вследствие этого плотность потока осаждаемых атомов при моделировании существенно выше, чем в эксперименте. <...> В рамках схемы, разработанной в [3, 4] для пленок диоксида кремния, процесс напыления организован как последовательность коротких (длительность 6–10 пс) молекулярно-динамических запусков. <...> В начале каждого запуска осаждаемые атомы кремния и кислорода в количественном соотношении <...>