Г.К. Борескова СО РАН, Новосибирск, Россия E-mail: cholach@catalysis.ru Статья поступила 13 января 2014 г. Сопряженное электронное возбуждение (СЭВ) за порогами остовных уровней атомов поверхности состоит из комбинации известных электронных переходов типа shake-off и shake-up, в результате которых возбужденные электроны могут размещаться как на уровне вакуума, так и на вакантных состояниях вблизи уровня Ферми. <...> Сателлиты СЭВ в спектрах упругоотраженных электронов представляют собой прямую экспериментальную информацию о структуре валентных состояний атомов поверхности и компонентов адсорбированного слоя. <...> Контроль СЭВ может быть организован как дополнительная возможность стандартного оборудования для электронной спектроскопии. <...> Спектроскопия потенциалов исчезновения (СПИ) основана на последовательном пороговом возбуждении внутренних уровней атомов мишени пучком электронов возрастающей энергии [ 3 ]. <...> В результате каждого возбуждения взаимодействующие электроны, первичный и остовный, локализуются на вакантных состояниях вблизи уровня Ферми (EF). <...> Спектр СПИ регистрируется как зависимость производной тока упругоотраженных электронов dI(Ep)/dEp от энергии первичного пучка Ep. <...> При достижении Ep в ходе линейной развертки потенциала возбуждения остовного уровня наблюдается резкое уменьшение измеряемого тока за счет исчезновения части первичных электронов из тока упругоотраженных, поэтому положение пика в спектре определяется энергией остовного уровня, а форма пика dI(Ep)/dEp ∼ dW(E)/dE — самосверткой плотности вакантных состояний по уравнению: WE f E E − ε σ ε E ∫ ( )=εσ 0 1 E ( , )( )( ) ,dε где f (E, ε) — матричный элемент перехода между начальным и конечным состояниями. <...> 56, № 3 627 Таким образом, основным результатом традиционного применения СПИ является информация о структуре плотности вакантных состояний атомов мишени вблизи EF [3]. <...> Характерными особенностями метода являются высокая поверхностная чувствительность (1—3 монослоя) и определяющая <...>