Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634840)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Журнал структурной химии  / №3 2015

КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛАХ MgSiO3 (330,00 руб.)

0   0
Первый авторЧибисов
Страниц3
ID359746
АннотацияМетодом функционала электронной плотности исследовано образование точечных дефектов по Шоттки в керамике MgSiO3. Показано, что образование вакансии Mg в положении Mg2 почти на 1 эВ выгоднее, чем в положении Mg1. Наибольшей энергией образования обладает вакансия кремния. Наиболее энергетически выгодным дефектом является вакансия кислорода в положении O3 в решетки энстатита. Приведены результаты по влиянию вакансий атомов на структурные свойства MgSiO3.
УДК544.22.022.342
Чибисов, А.Н. КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛАХ MgSiO3 / А.Н. Чибисов // Журнал структурной химии .— 2015 .— №3 .— С. 62-64 .— URL: https://rucont.ru/efd/359746 (дата обращения: 26.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

Том 56, № 3 УДК 544.22.022.342 КОМПЬЮТЕРНОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ОБРАЗОВАНИЯ ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ В КЕРАМИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛАХ MgSiO3 А.Н. Чибисов Вычислительный центр Дальневосточного отделения РАН, Хабаровск, Россия E-mail: andreichibisov@yandex.ru Статья поступила 6 марта 2014 г. Методом функционала электронной плотности исследовано образование точечных дефектов по Шоттки в керамике MgSiO3. <...> Показано, что образование вакансии Mg в положении Mg2 почти на 1 эВ выгоднее, чем в положении Mg1. <...> Наиболее энергетически выгодным дефектом является вакансия кислорода в положении O3 в решетки энстатита. <...> Приведены результаты по влиянию вакансий атомов на структурные свойства MgSiO3. <...> Стеатитовая керамика (MgSiO3, энстатит) является широкощелевым диэлектриком и благодаря высокой диэлектрической и механической прочности, влагоустойчивости широко используется в электронике, электротехнике и энергетике в качестве компонента для производства высоковольтных электроизоляторов и высокочастотной керамики [ 1 ]. <...> Также MgSiO3 используется при изготовлении стоматологических и ортопедических протезов [ 2 ]. <...> Энстатит является низкотемпературной модификацией MgSiO3, которая при нагревании переходит в протоэнстатит, а при охлаждении в клиноэнстатит [ 3 ]. <...> Так называемая ″low-P фаза″ протоэнстатита имеет ромбическую структуру с пространственной группой Pbcn с числом формульных единиц Z = 8 и параметрами элементарной ячейки a = 9,2554(4), b = 8,7650(5), c = 5,3333(2) Е при давлении 0 ГПа [4 ]. <...> Точечные дефекты в решетке энстатита могут очень сильно влиять на его структурные, механические, электронные, а следовательно, и оптические свойства [ 5—7]. <...> Так, в работе [ 7 ] показано, что облучение MgSiO3 γ-излучением (от источника 60Co) дозой ≈12 Гр приводит к образованию O– и F+ дефектных центров. <...> Точечные дефекты в MgSiO3 при определенных условиях способны перерастать в дислокации с определенным направлением [ 8 ]. <...> В работе [ 9 ] показана анизотропия электрической проводимости в MgSiO3 изза структурных особенностей решетки <...>