Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634620)
Контекстум
.
Физическое образование в вузах  / №4 2014

Полупроводниковые источники света (200,00 руб.)

0   0
Первый авторГладун А.Д.
АвторыИгошин Ф.Ф. , Юрьев Ю.В.
Страниц7
ID285605
АннотацияПредложена учебная лабораторная работа для практикума по общей физике. С помощью дифракционного монохроматора МУМ в работе исследуется спектр излучения светодиодов и полупроводникового лазера. Измеряется зависимость интенсивности лазера от величины тока, протекающего через pn#переход; определяется пороговая величина тока, соответствующая переходу от режима светоизлучающего диода к режиму лазерной генерации.
Гладун А.Д.. Полупроводниковые источники света / Гладун А.Д., Игошин Ф.Ф., Юрьев Ю.В. // Физическое образование в вузах .— 2014 .— №4 .— URL: https://rucont.ru/efd/285605 (дата обращения: 19.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

20, № 4, 2014 УДК 535.232.1; 53.084.852 Полупроводниковые источники света Анатолий Деомидович Гладун, Фёдор Фёдорович Игошин, Юрий Вячеславович Юрьев Московский физикотехнический институт (Государственный университет) 141700 Долгопрудный Моск. обл., Институтский пер., д. <...> 9; email: gladun.ad@mipt.ru Предложена учебная лабораторная работа для практикума по общей физике. <...> С помощью дифракционного монохроматора МУМ в работе исследуется спектр излучения светодиодов и полупроводникового лазера. <...> Измеряется зависимость интенсивности лазера от величины тока, протекающего через pnпереход; определяется пороговая величина тока, соответствующая переходу от режима светоизлучающего диода к режиму лазерной генерации. <...> Введение Полупроводниковые светодиоды являются удобными и экономичными источниками квазимонохроматического света с относительно узким спектральным диапазоном. <...> Соединим pобласть диода с положи тельным, а nобласть с отрицательным контактом источника постоянного напряжения, т.е. пропустим ток в прямом направлении. <...> Прохождение тока через (pn)переход в прямом направлении сопровождается инжекцией неосновных носителей заряда: электронов в pобласть и дырок в nобласть. <...> Инжектированные неосновные носители рекомбинируют с основными носителями данной области полупроводника, и их концентрация быстро падает по мере удаления от (pn)перехода вглубь полупровод ника. <...> У многих полупроводников рекомбинация носит безызлучательный характер: энергия, выделяющаяся при рекомбинации, передается колебаниям кристаллической решетки кристалла. <...> Однако, у таких полупроводников, как SiG, GaAs, InAs, GaP, InSb, рекомбинация является излучательной (при рекомбинации излучаются фотоны). <...> Поэтому у таких полупроводников пропускание через (pn)переход тока в прямом направлении сопровождается свечением области перехода. <...> Светодиоды излучают свет в сравнительно узкой полосе спектра, ширина которого составляет 20–50 нм. <...> Широкое <...>