УДК 53.088 Подготовка исходного сырья для роста слитков мультикристаллического кремния © И. <...> Н.Э. Баумана, Калуга, 248000, Россия Описан один из вариантов процесса очистки кремниевого сырья, сильно легированного мышьяком. <...> Приведены результаты теоретического расчета эффективности предложенного метода, сочетающего процесс высокотемпературного вакуумного отжига с последующей кристаллизационной очисткой при выращивании кристаллов методом Чохральского. <...> Представлена методика использования данного метода при подготовке загрузок для роста слитков мультикристаллического кремния. <...> Ключевые слова: легированный мышьяком кремний, испарение, вакуумный отжиг, кристаллизационная очистка, мультикристаллический кремний. <...> Развитие солнечной энергетики существенно ужесточило требования к исходному кремнию, так называемому SoG-Si (Solar grade Silicon). <...> Одним из таких требований является чистота кремния, выражающаяся численно в концентрации носителей заряда или, что взаимосвязано, в значении удельного электрического сопротивления . <...> 3 Омсм для образцов p-типа и более 3.5 Омсм для образцов n-типа проводимости. <...> Такие значения предполагают чистоту исходного материала на уровне 6N. <...> Применяемые в качестве исходных материалов различные виды кремния, как правило, содержат высокие уровни концентрации легирующих примесей, наиболее распространенными из которых являются мышьяк и фосфор (n-тип), бор (p-тип). <...> Без дополнительной переработки эти материалы не могут быть использованы для выращивания слитков мультикристаллического кремния — одного из основных материалов для производства фотоэлектрических преобразователей (солнечных батарей). <...> Поэтому главной задачей в получении SoG-Si является уменьшение концентрации легирующих примесей в процессе переработки используемых исходных материалов (отходов электронной промышленности, отходов резки кристаллов после выращивания методом Чохральского и частей слитков после направленной <...>