УДК 53.088 Погрешность определения состава загрузки для роста слитков мультикристаллического кремния © И. <...> Н.Э. Баумана, Калуга, 248000, Россия Описана методика и приведены результаты расчета погрешности определения целевой концентрации носителей заряда. <...> Определены основные параметры, которые влияют на погрешность измерения удельного электрического сопротивления на слитке, полученном при использовании описанной в статье загрузки для его роста. <...> Ключевые слова: мультикристаллический кремний, концентрация носителей заряда, удельное электрическое сопротивление, погрешность. <...> Мультикристаллический кремний до сих пор остается наиболее распространенным полупроводниковым материалом, используемым при изготовлении фотоэлектрических преобразователей, в том числе солнечных батарей наземного и космического базирования. <...> В связи с этим при росте слитков одним из основных критериев их качества является точность достижения требуемых электрофизических параметров, в частности удельного электрического сопротивления . <...> Исходя из этого, одной из важнейших является задача определения погрешности вычисления на этапе подготовки загрузки для роста слитка мультикристаллического кремния с заданными параметрами. <...> Для снижения затрат в технологическом процессе получения кремниевых пластин применяют как чистый поликристаллический кремний, так и отходы производства «электронного» кремния. <...> Основными компонентами загрузки при этом являются поли-кремний, скрап (тигельные остатки), переплавленные монокристаллы, отходы поликристаллического кремния (поликремниевые стержни с графитовыми электродами), а также возвратные отходы, представленные обрезью предыдущих процессов обработки слитков. <...> Таким образом, загрузка для роста слитков является многокомпонентной, т. е. состоит из нескольких частей исходного кремния p- и n-типа проводимости. <...> В рамках данной статьи принято, что части загрузки n-типа легированы <...>