В. Д. Кревчик, А. В. Разумов, Т. А. Губин
ОСОБЕННОСТИ ПРИМЕСНОЙ ЗОНЫ В КВАНТОВОЙ
ПРОВОЛОКЕ, ОБРАЗОВАННОЙ РЕГУЛЯРНОЙ ЦЕПОЧКОЙ
D0-ЦЕНТРОВ С РЕЗОНАНСНЫМИ СОСТОЯНИЯМИ,
ВО ВНЕШНЕМ МАГНИТНОМ ПОЛЕ1
Аннотация. <...> Полупроводниковые квантовые проволоки с примесной зоной перспективны с точки зрения создания на
их основе новых источников стимулированного излучения на примесных переходах, а также фотоприемников ИК-излучения с управляемой чувствительностью. <...> Целью данной работы является теоретическое исследование влияния
внешнего магнитного поля на ширину примесной зоны, образованной регулярной цепочкой D0 -центров с резонансными состояниями электрона в квантовой проволоке. <...> Кривые зависимости ширины примесной зоны от величины внешнего магнитного поля и периода регулярной
цепочки D0 -центров построены для случая квантовой проволоки на основе
InSb. <...> Дисперсионные уравнения, определяющие границы примесной зоны
в квантовой проволоке при наличии внешнего продольного по отношению
к оси квантовой проволоки магнитного поля, получены в рамках обобщенного
варианта модели Кронига – Пенни методом потенциала нулевого радиуса. <...> Показано, что с ростом величины внешнего магнитного поля ширина примесной зоны с резонансными состояниями уменьшается из-за уменьшения степени перекрытия одноцентровых волновых функций. <...> Выявлена достаточно высокая чувствительность ширины примесной зоны, образованной
регулярной цепочкой D0 -центров с резонансными состояниями примесного
электрона в квантовой проволоке к параметрам диссипативного туннелирования: с ростом температуры и частоты фононной моды ширина примесной зоны увеличивается за счет увеличения вероятности диссипативного туннелирования, а с ростом константы взаимодействия с контактной средой ширина
примесной зоны уменьшается, что связано с блокировкой туннельного распада. <...> Выявлена возможность эффективного управления шириной примесной зоны, образованной регулярной <...>