А. В. Беринцев, Б. М. Костишко, В. В. Светухин
МОДЕЛИРОВАНИЕ ИМПУЛЬСНОГО
РАДИАЦИОННО-СТИМУЛИРОВАННОГО
ИСТОЧНИКА ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПИТАНИЯ1
Аннотация. <...> Цель работы: моделирование импульсного режима работы радиационно-стимулированного источника электрического тока на основе изотопа
63
Ni. <...> Моделирование проводилось в системе LTspice IV согласно структурной
схеме импульсного радиационно-стимулированного источника тока. <...> Бетавольтаический элемент питания представлял собой батарею из 1000 кремниевых
pin-структур с глубиной залегания p-n-перехода 1,2 мкм и кремниевых фотодиодов с глубиной залегания перехода 6,5 мкм, включенных последовательно
и параллельно с общей площадью p-n-переходов около 1000 см2. <...> В конструкции импульсного радиационно-стимулированного источника тока в соответствии со схемой удалось достигнуть увеличения выходного напряжения до
1,3 В в постоянном режиме, выходного импульсного тока – до значения
200 мА, импульса напряжения – до значения 180 мВ, с длительностью импульса до 2 мс и частотой повторения порядка 800 Гц. <...> Полученные результаты
свидетельствуют об эффективности применения радиационно-стимулированного элемента электрического питания, работающего в импульсном режиме,
когда имеется необходимость в источнике питания, работающем более 50 лет
и дающем ток генерации до 200 мА в пике разрядки. <...> Предполагаемыми областями применения полученного материала являются микроэлектромеханические системы, нуждающиеся в элементе питания, работающие длительное
время в труднодоступных местах и климатических условиях. <...> Ключевые слова: бетавольтаический эффект, радиационно-стимулированная
генерация тока, моделирование физических процессов. <...> Svetukhin
MODELING OF A PULSE
RADIATION-INDUCED POWER SOURCE
Abstract. <...> Modeling has been performed in
LTspice IV system in accordance with the structural chart of the pulseradiationinduced power source. <...> Betavoltaic power source is a cell that combines 1000 silicon
pin- structures with p-n- junction depth of 1.2 µm and silicon photodiodes with p-njunction depth of 6.5 µm connected in series and in parallel with a total junction area of 1000 cm2. <...> From a designed pulse radiation-induced <...>