С. В. Булярский, Л. Н. Вострецова, М. С. Ермаков
ОПРЕДЕЛЕНИЕ ЭНЕРГЕТИЧЕСКИХ ПАРАМЕТРОВ
ЭЛЕКТРОННЫХ СОСТОЯНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБКАХ
Аннотация. <...> Исследуется вольт-амперная характеристика полупроводниковой
однослойной углеродной нанотрубки. <...> Найдены выражения для концентрации
электронов (дырок), а также плотности состояний в зоне проводимости (валентной зоне) для полупроводниковой нанотрубки. <...> Из приведенной скорости
рекомбинации определены параметры энергий локальных состояний, участвующих в процессе переноса тока. <...> Ключевые слова: плотность состояний, полупроводниковая углеродная нанотрубка, концентрация электронов (дырок), энергия локальных состояний,
вольт-амперная характеристика, приведенная скорость рекомбинации. <...> The article investigates a current – voltage characteristic of the semiconductor carbon nanotube. <...> Expressions are found for the concentration of electrons (or
holes) and the density of states in the conduction band (valence band) for the semiconductor carbon nanotube. <...> Key words: density of states, semiconductor carbon nanotube, concentration of electrons (or holes), energy of localized states, current - voltage characteristics, reduced
rate of recombination. <...> Введение
Углеродные нанотрубки (УНТ) обладают важными для практического
применения свойствами. <...> Теоретические и экспериментальные исследования электрических и магнитных свойств нанотрубок обнаруживают ряд эффектов, указывающих на квантовую природу переноса заряда. <...> Анализ зависимости спектра проводимости и вольт-амперных характеристик (ВАХ) нанотрубок от температуры показал, что в УНТ наряду с баллистической проводимостью [3–7] наблюдаются и туннельные [8–12] механизмы переноса,
а также прыжковая проводимость [13–15]. <...> В данной работе будет показано, что из обобщенной модели рекомбинации [9] можно получить ступенчатое возрастание тока от напряжения при
увеличении напряжения смещения на образце. <...> Приведенная методика анализа ВАХ УНТ апробируется на углеродной однослойной полупроводниковой
нанотрубке с хиральностью (16,0), экспериментальные вольт-амперные характеристики которой, приведены в работе <...>