Способ определения плотности поверхностных состояний в гетероструктурах CdS/Si(p) на основе анализа вольт-фарадных характеристик (90,00 руб.)

bqss cds/si efp vss базовая область валентная зона влияние гу вольт-фарадные характеристики вольт-фарадный вфх вфх гетероперехода вфх гетероструктуры вч вфх гетерограница гетеропереход гетероструктура гидрохимическое осаждение гу состояний дырка efp евз къ заряд состояния изготовление гетероструктур измерение вфх измеряемая емкость исследования гетероструктур исследованные гетероструктуры контактная разность концентрация гу мелкие примеси напряжения смещения нч вфх обратное смещение объемы области определение плотности перезарядка гу пленка cds плотность состояния поверхностные состояния поволжский регион положение гу потолок зоны приложенное напряжение проницаемость полупроводника разность потенциалов релаксационная спектроскопия снч трегул фэп характеристики гетероструктур ширина опз