В. В. Трегулов, В. А. Степанов
ИССЛЕДОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНЫХ СОСТОЯНИЙ
В ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЯХ
СОЛНЕЧНОЙ ЭНЕРГИИ НА ОСНОВЕ
ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ CdS/Si(p)
Аннотация. <...> Представлен метод измерения спектра энергетической плотности
поверхностных состояний в фотоэлектрических преобразователях солнечной
энергии на основе гетероструктур. <...> Приведены результаты исследования поверхностных состояний в гетероструктуре CdS/Si(p), изготовленной методом
гидрохимического осаждения. <...> Введение
Гетероструктура CdS/Si(p) может применяться в качестве эффективного фотоэлектрического преобразователя (ФЭП) солнечной энергии. <...> Изготовление ФЭП на основе гетероперехода между широкозонным полупроводником (CdS), играющим роль оптического окна, и узкозонным полупроводником (Si), используемым в качестве поглощающего слоя, позволяет минимизировать потери носителей заряда за счет поверхностной рекомбинации. <...> При
хорошем согласовании параметров кристаллических решеток узкозонного и
широкозонного полупроводников гетероструктурный ФЭП имеет высокую
эффективность [1]. <...> Теоретическое значение эффективности ФЭП на основе
гетероструктуры CdS/Si(p) может составлять 24 % [2]. <...> Традиционно в микроэлектронике для формирования пленок CdS используются следующие технологии: молекулярно-лучевая эпитаксия, осаждение из металлoорганических соединений, сублимация в закрытом объеме <...> Эти методы позволяют получать монокристаллические пленки CdS высокого качества. <...> С целью снижения стоимости ФЭП для формирования пленки
CdS на поверхности кремниевой подложки в данной работе использовался
метод гидрохимического осаждения [3]. <...> При
этом формируются поликристаллические пленки CdS, содержащие большее
количество дефектов по сравнению с вышеперечисленными методами [3]. <...> На
гетерогранице CdS/Si(p) возникают поверхностные состояния с глубокими
энергетическими уровнями (ГУ). <...> Причиной появления ГУ на гетерогранице
авторы [1] считают несоответствие параметров <...>