В. Д. Кревчик, Е. Н. Калинин, З. А. Гаврина
РЕЗОНАНСНЫЕ СОСТОЯНИЯ ДОНОРОВ В КВАНТОВЫХ
МОЛЕКУЛАХ ВО ВНЕШНЕМ ЭЛЕКТРИЧЕСКОМ ПОЛЕ
Аннотация. <...> Выполнены расчеты средней энергии связи и ширины уровня резонансного D(–)-состояния в квантовой молекуле при наличии внешнего электрического поля. <...> Расчеты проводились в модели потенциала нулевого радиуса
с учетом туннельного распада резонансного состояния. <...> Показано, что внешнее
электрическое поле стимулирует распад резонансных D(–)-состояний в условиях диссипативного туннелирования. <...> Ключевые слова: резонансные донорные состояния, средняя энергия связи,
ширина примесного уровня, диссипативное туннелирование. <...> Введение
В последние годы возрос интерес к исследованиям примесных резонансных состояний в полупроводниковых наноструктурах [1]. <...> Этот интерес
связан прежде всего с кардинальной модификацией примесных состояний
в условиях размерного квантования [2, 3], которая дает дополнительные степени свободы для управления не только зонным, но и примесным спектрами. <...> Необходимо отметить, что привлекательность полупроводниковых наноструктур с примесными резонансными состояниями также связана с возможностью создания новых источников стимулированного излучения на примесных переходах [4, 5]. <...> В этой связи становится актуальным теоретическое исследование влияния различных факторов на время жизни примесных резонансных состояний, которое является основным параметром, определяющим возможность получения инверсии заселенности, а также порог генерации на примесных переходах. <...> Влияние локализации в квантовой яме на
время жизни состояний мелких примесных центров теоретически и экспериментально исследовалось в работе [6]. <...> Было показано [5], что локализация в квантовой яме приводит к замедлению спадания волновых функций
примесных состояний в пространстве волновых векторов и может приводить
к экспоненциальному уменьшению времени жизни примесных состояний
с уменьшением <...>