С. В. Булярский, Л. Н. Вострецова
МОДЕЛИРОВАНИЕ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА ТОКА
В УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБКАХ
Аннотация. <...> В работе рассматривается зависимость приведенной скорости туннельной рекомбинации Rпр от напряжения прямого смещения. <...> Приводятся
два приближения, описывающие зависимость Rпр от напряжения: при условии
ограничения процесса рекомбинации туннелированием и условием ограничения скоростью рекомбинации в квантовой яме. <...> Показано, что из обобщенной
модели рекомбинации можно получить ступенчатое возрастание тока от напряжения при увеличении напряжения смещения на образце. <...> Ключевые слова: скорость туннельной рекомбинации, процесс рекомбинации
туннелированием, квантовая яма. <...> In work dependence of the resulted speed tunnel recombnations from voltage of direct displacement is considered. <...> Two approaches describing dependence on
voltage are resulted: under condition of process restriction recombnations tunneling
and a condition of restriction in the speed recombnations in a quantum hole. <...> It is
shown that from the generalized model recombnations it is possible to receive step
increase of a current from pressure at increase in pressure of displacement at the
sample. <...> В неоднородных наноразупорядоченных полупроводниковых материалах, в том числе и углеродных нанотрубках (УНТ), электроны и дырки пространственно разделены. <...> Рекомбинация возможна только, если одна из стадий процесса является туннельной [1]. <...> Теоретические и экспериментальные
исследования электрических и магнитных свойств нанотрубок обнаружили
ряд эффектов, которые указывают на квантовую природу переноса заряда. <...> В работах [2–4] рассматриваются теоретические концепции мезоскопического транспорта для низко-размерных систем и беспорядочных материалов, основные теоретические особенности квантового транспорта в углеродных нанотрубок в пределах невзаимодействующих электронов, механизмы,
влияющие на перенос тока. <...> Показано, что при низких температурах в металлических нанотрубках наблюдается ступенчатое возрастание тока (квантование проводимости) при увеличении напряжения смещения, приложенного
к нанотрубке: каждый скачок отвечает появлению очередного <...>