*
И HfxSi1–x НА ПОДЛОЖКАХ HfO2/Si И SiO2/Si
Исследованы морфология поверхности, кристаллическая структура, электрофизические свойства (удельная электропроводность, концентрация и подвижность носителей заряда) и зависимость работы выхода сверхтонких (8 нм)
пленок HfxSi1–x и NixSi1–x, сформированных методом импульсного лазерного
осаждения (ИЛО) на подложках SiO2/Si и HfO2+SiO2/Si, от состава пленок x. <...> Электронографические исследования показали, что сформированные пленки
являются аморфными. <...> Шероховатость поверхности пленок составила для
NixSi1–x и HfxSi1–x 0,23±0,05 нм и 0,49±0,05 нм, соответственно, и не зависела от х. <...> Работа выхода в слоях NixSi1–x и HfxSi1–x варьировалась в пределах 4,9–5,0 эВ
и 4,3–4,8 эВ, соответственно, в зависимости от х. <...> Проведенные
исследования показали, что пленки HfxSi1–x и NixSi1–x являются перспективными для использования в качестве материалов затворов МОП-транзисторов в
интегральных схемах нового поколения. <...> Введение
В настоящее время совершенствование приборов микроэлектроники, в
частности увеличение быстродействия логических элементов интегральных
схем (ИС) и степени интеграции ИС, достигается за счет уменьшения характерных размеров активных элементов ИС [1]. <...> Однако миниатюризация ИС на
базе комплиментарных полевых транзисторов типа металл–оксид–полупроводник (КМОП) привела к тому, что традиционная технология формирования
КМОП-структур в ближайшее время достигнет фундаментального предела. <...> В
частности эквивалентная толщина подзатворного диэлектрика в ближайшем
будущем уменьшится до 1 нм [2], что возможно только при замене используемого сегодня оксинитрида кремния на материалы с более высокой диэлектрической проницаемостью (так называемые high-k диэлектрики) [3]. <...> Вместе с тем, в силу ряда причин, рассматриваемых
ниже, встает вопрос о приемлемости использования поликристаллического
(сильнолегированного) кремния в качестве материала затвора КМОП-транзистора. <...> К их потенциальным преимуществам относятся <...>