С. А. Панфилов
ЭФФЕКТИВНОЕ ОХЛАЖДЕНИЕ НОВЫХ ВЫСОКОМОЩНЫХ
СИЛОВЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
Аннотация. <...> Представлены конструкции и параметры воздушных, водяных и
термосифонных охлаждающих систем для высокомощных силовых полупроводников приборов с диаметрами структур 76–101 мм, показаны перспективы
разработок высокоэффективных систем охлаждения. <...> Значения предельных токов и мощностей тепловых потерь высокомощных силовых полупроводниковых приборов с воздушным и водяным охлаждением публикуются впервые. <...> В настоящее время в ОАО «Электровыпрямитель» разработан и освоен
в производстве широкий ряд высокомощных силовых полупроводниковых
приборов (СПП) – диодов и тиристоров таблеточной конструкции с диаметрами структур 76, 90, 101 мм с номинальными средними токами в открытом
состоянии 1250–8000 А – диоды и 630–5000 А – тиристоры. <...> Данные силовые полупроводниковые приборы при номинальных токовых нагрузках выделяют мощности тепловых потерь от 1500 до 10000 Вт. <...> Для сравнения эффективности систем охлаждения высокомощных силовых полупроводниковых приборов с диаметрами структур 76–101 мм были
выбраны по два прибора каждого типа: в высоковольтном исполнении с относительно низкими рабочими токами и в низковольтном исполнении с высокими рабочими токами. <...> 1 (маркировка этих приборов состоит из первых трех цифр,
57
Известия высших учебных заведений. <...> Поволжский регион
которые определяют конструктивные особенности приборов, последующие
цифры определяют значение номинального тока) [1, 2]. <...> 1 DСПП – диаметр полупроводниковых структур приборов, мм;
UDRM – максимально допустимое повторяющееся импульсное напряжение
приборов в обратном направлении, В; rT – дифференциальное сопротивление
приборов, mΩ; UTO – пороговое напряжение приборов, В; TJmax – максимально
допустимая температура p–n-переходов, °C; Rthjc – установившееся значение
теплового сопротивления «переход – корпус прибора», °C/Вт; Rthch – установившееся значение теплового <...>