Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634794)
Контекстум
.
Известия высших учебных заведений. Серия "Химия и химическая технология"  / №5 2011

Диаграмма состояния системы GeSbBiTe[4]-Sb[2]Te[3] (90,00 руб.)

0   0
Первый авторГурбанов
ИздательствоМ.: ПРОМЕДИА
Страниц3
ID267609
АннотацияВпервые изучен характер взаимодействия компонентов в представленной системе. Установлено, что система является квазибинарной. Сплавы из области твердых растворов обладают полупроводниковыми свойствами с электронной проводимостью.
УДК546
ББК24.янв
Гурбанов, Г.Р. Диаграмма состояния системы GeSbBiTe[4]-Sb[2]Te[3] / Г.Р. Гурбанов // Известия высших учебных заведений. Серия "Химия и химическая технология" .— 2011 .— №5 .— С. 66-68 .— URL: https://rucont.ru/efd/267609 (дата обращения: 25.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УДК 546(289.86.87.24+86.24) Г.Р. Гурбанов ДИАГРАММА СОСТОЯНИЯ СИСТЕМЫ GeSbBiTe4-Sb2Te3 (Азербайджанская государственная нефтяная академия) e-mail: sheri-ledi@mail.ru Впервые различными физико-химическими методами (ДТА, РФА, МСА, измерением микротвердости и определением плотности) изучен характер взаимодействия компонентов по разрезу GeSbBiTe4-Sb2Te3. <...> Установлено, что разрез является квазибинарным сечением тройной системы GeTe-Sb2Te3-Bi2Te3. <...> В системе GeSbBiTe4-Sb2Te3 установлена растворимость на основе обоих компонентов. <...> При комнатной температуре растворимость на основе GeSbBiTe4 доходит до 10 мол. <...> Изучены физические свойства сплавов из областей твердых растворов. <...> Ключевые слова: физико-химический метод, ликвидус, направленная кристаллизация, система GeSbBiTe4-Sb2Te3 В настоящее время одними из наиболее перспективных материалов микроэлектроники являются халькогениды типа VI 3 V A2 B . <...> Это связано с тем, что они обладают широким и легко управляемым спектром физико-химических и электрофизических свойств. <...> Поэтому научно-исследовательские работы в направлении получения новых сложных халькогенидных материалов на основе VI 3 V A2 B и улучшения свойств существующих полупроводниковых соединений носят целенаправленный характер. <...> Халькогениды типа V A2 B (А=Sb, Bi; B=S, VI 3 Se, Te) обладают высокими термоэлектрическими и фотоэлектрическими свойствами. <...> Эти свойства создают возможность широкого применения этих материалов в электронной промышленности [1,2,3]. <...> Эти недостатки можно устранить введением различных примесей и созданием новых твердых растворов. <...> Целью настоящего исследования является изучение химического взаимодействия между соединениями GeSbBiTe4 и Sb2Te3 методами физикохимического анализа. <...> ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ Соединения GeSbBiTe4 и Sb2Te3 синтезировали из особо чистых элементов (германия – (99,99 %), сурьмы – Су-4, висмута – В-4 и теллура – Экстра В-4) визуально-комбинированным методом при 900 и 1000 К соответственно [4]. <...> Анализы 66 показали, что составы синтезированных веществ <...>