Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634938)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Известия высших учебных заведений. Серия "Химия и химическая технология"  / №9 2009

Исследование скорости роста гексагидрата нитрата магния при постоянном переохлаждении (90,00 руб.)

0   0
Первый авторЛановецкий
АвторыПойлов В.З., Косвинцев О.К.
ИздательствоМ.: ПРОМЕДИА
Страниц4
ID266870
АннотацияПриведены исследования кинетики роста монокристаллов гексагидрата нитрата магния в условиях политермической массовой кристаллизации при различных гидродинамических и температурных режимах, в растворах различного состава.
УДК544.47
ББК24.544
Лановецкий, С.В. Исследование скорости роста гексагидрата нитрата магния при постоянном переохлаждении / С.В. Лановецкий, В.З. Пойлов, О.К. Косвинцев // Известия высших учебных заведений. Серия "Химия и химическая технология" .— 2009 .— №9 .— С. 39-42 .— URL: https://rucont.ru/efd/266870 (дата обращения: 02.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УДК 548.527 С.В. Лановецкий, В.З. Пойлов, О.К. Косвинцев ИССЛЕДОВАНИЕ СКОРОСТИ РОСТА КРИСТАЛЛА ГЕКСАГИДРАТА НИТРАТА МАГНИЯ ПРИ ПОСТОЯННОМ ПЕРЕОХЛАЖДЕНИИ (Пермский государственный технический университет) E-mail: slanovetskiy@bf.pstu.ac.ru Приведены результаты исследований скорости роста кристалла гексагидрата нитрата магния. <...> Получены данные по влиянию различных факторов на скорость роста кристалла в растворах нитрата магния. <...> Определено влияние температуры раствора на механизм роста кристалла. <...> Ключевые слова: кристалл, механизм роста, нитрат магния Определение механизма роста кристалла по экспериментальным данным является одной из важных задач кинетики кристаллизации. <...> После возникновения в условиях пересыщенного раствора устойчивых зародышей на их поверхности начинает откладываться растворенное вещество. <...> Величина линейной скорости роста кристалла является основной характеристикой данной стадии процесса кристаллизации. <...> Это приводит к тому, что частицы среды, оказывающиеся в сфере действия электрических сил поверхностных частиц кристалла, притягиваются к поверхности и присоединяются к ней; происходит адсорбция частиц среды на его поверхности. <...> Адсорбированная частица либо закрепляется в данном месте навсегда, либо, в силу флуктуаций энергии, мигрирует на поверхности и закрепляется где-либо в другом месте, или, поблуждав некоторое время на поверхности, отрывается от нее – десорбируется и уходит обратно в среду [1]. <...> Если кристалл находится в равновесии со средой, средние во времени количества адсорбирующихся и десорбирующихся частиц равны. <...> Если же в среде находится вещество в концентрации выше равновесной, то количество адсорбирующихся частиц преобладает над количеством десорбирующихся, и происходит рост кристалла. <...> Скорость присоединения частицскорость роста – в общем, пропорциональна избытку вещества сверх равновесного. <...> В настоящей работе приведены исследования кинетики роста монокристаллов <...>