Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 634757)
Контекстум
.
Известия высших учебных заведений. Серия "Химия и химическая технология"  / №6 2008

О возможности выращивания монокристаллов CaS, CaSe, CaTe в системах Сa[2]S[3] (Se[3]Te[3]) - CaI методами химической транспортной реакции (ХТР) (90,00 руб.)

0   0
Первый авторГейдаров
ИздательствоМ.: ПРОМЕДИА
Страниц3
ID266323
АннотацияСообщение посвящено перспективным полупроводниковым соединениям - халькогенидам галлия, электрофизические свойства которых изучаются на монокристаллах.
УДК544.22
ББК24.52
Гейдаров, Б.А. О возможности выращивания монокристаллов CaS, CaSe, CaTe в системах Сa[2]S[3] (Se[3]Te[3]) - CaI методами химической транспортной реакции (ХТР) / Б.А. Гейдаров // Известия высших учебных заведений. Серия "Химия и химическая технология" .— 2008 .— №6 .— С. 106-108 .— URL: https://rucont.ru/efd/266323 (дата обращения: 25.04.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

УДК 546.221.548.522 Б.А. Гейдаров О ВОЗМОЖНОСТИ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ GaS, GaSe, GaTe В СИСТЕМАХ Ga2S3 (Se3,Te3) – GaI МЕТОДАМИ ХИМИЧЕСКОЙ ТРАНСПОРТНОЙ РЕАКЦИИ (ХТР) (Бакинский государственный университет) E-mail: bsu@bsu.az Из результатов проведенных анализов установлено, что в системах Ga2S3 (Se3,Te3)–GaI при всех концентрациях GaI происходит восстановление Ga2S3, Ga2Se3 с образованием GaS, GaSe и разложение Ga2Te3. <...> При восстановлении одновременно из газовой фазы выращиваются монокристаллы GaS, GaSe. <...> Однако в системе Ga2Te3–GaI происходит разложение Ga2Te3 и образуются разные фазы: TeI4, TeGa, GaI3. <...> ВВЕДЕНИЕ Халькогениды галлия относятся к перспективным полупроводниковым соединениям. <...> Этим соединениям посвящено много исследовательских работ, что связано со специфическими особенностями их зонной структуры и анизотропией электрических и оптических свойств. <...> Их точные электрофизические свойства изучаются на монокристаллах. <...> В литературе имеются сведения о получении этих монокристаллов с участием разных транспортеров [1–4]. <...> Подробно исследовано получение монокристаллов GaS, GaSe, GaTe с участием хлора, брома и иода. <...> В то же время известно, что, в зависимости от вида транспортирующего реагента, выход и размер монокристаллов изменяется. <...> До сих пор все указанные монокристаллы GaS, GaSe, GaTe выращены из поликристаллов. <...> В данной работе проводятся исследования по выращиванию монокристаллов путем редукции из Ga2S3 (Se3,Te3) с участием GaI. <...> ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ЧАСТЬ Основным методом работы является диффузионный вариант газотранспортных реакций, предложенный в монографии [5]. <...> Для проведения исследований было изготовлено несколько кварцевых ампул длиной 18–20 см и диаметром 1–1,5 см. Приготовленные ампулы очищались хромовой смесью и промывались дистиллированной водой. <...> Синтез Ga2S3, Ga2Se3, Ga2Te3 проводился непосредственно из компонентов: галлий марки ГО-00, сера марки А2 и В3, селен выпрямительный (99.98%), теллур марки В3. <...> В связи с гигроскопичностью GaI не синтезировался из элементов, так как <...>