Т 51 (12) ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ ХИМИЯ И ХИМИЧЕСКАЯ ТЕХНОЛОГИЯ 2008 УДК 661.25:541.135 Е.Е. Виссер, Е.Б. Чернов*, Ю.А. Карбаинов, М.С. Барсукова ИССЛЕДОВАНИЕ ВОЗДЕЙСТВИЯ РАСТВОРОВ СЕРНОЙ КИСЛОТЫ ПОСЛЕ ЭЛЕКТРОЛИЗА НА ПОВЕРХНОСТЬ КРЕМНИЯ (Томский политехнический университет, *Сургутский государственный университет) Методами УФ-спектроскопии, вольтамперометрии и химического анализа в электрохимически обработанных растворах серной кислоты обнаружен «активный кислород», который образуется в результате распада пероксосерных кислот, обладающих высокой окислительной способностью к микропримесям, находящимся на поверхности полупроводникового кремния. <...> Проведено математическое моделирование процесса образования и расходования кислорода в процессе обработки поверхности кремния растворами серной кислоты после электролиза. <...> Одним из возможных методов очистки поверхности полупроводниковых пластин кремния, используемых в микроэлектронике, является их обработка в растворах серной кислоты, предварительно подвергнутых электролизу [1]. <...> Наличие пероксосоединений и свободного кислорода в растворах серной кислоты после электролиза позволяет обеспечить окисление соответствующих примесей на поверхности полупроводникового кремния. <...> Количество «активных» частиц зависит от условий проведения электролиза (концентрация серной кислоты, сила тока, потенциал, время проведения электролиза и т.д.) <...> . Необходимо отметить, что механизм этого процесса является сложным, недостаточно изученным и зависит от количества и природы примесей восстановителей [2, 3]. <...> Выяснение механизма позволит с одной стороны управлять процессом очистки поверхности полупроводникового кремния (возможно, и других твердых тел), с другой стороны позволит использовать этот процесс и для других целей (например, для растворения труднорастворимых соединений, обладающих восстановительными свойствами). <...> Целью работы является изучение <...>