Национальный цифровой ресурс Руконт - межотраслевая электронная библиотека (ЭБС) на базе технологии Контекстум (всего произведений: 635050)
Контекстум
Руконтекст антиплагиат система
Системы анализа и обработки данных  / №3 2013

Влияние деформации на электропроводность варизонных пленок AlxGa1-xAs n-типа (330,00 руб.)

0   0
Первый авторДрагунова
ИздательствоМ.: ПРОМЕДИА
Страниц8
ID264713
АннотацияПроведен анализ влияния деформации на электропроводность варизонных пленок AlxGa1-xAs. n-типа. Показано, что при интерпретации экспериментальных результатов по влиянию деформации на проводимость твердых растворов AlxGa1-xAs.необходимо учитывать L-минимумы.
УДК536.298: 573.311.9
Драгунова, Л.С. Влияние деформации на электропроводность варизонных пленок AlxGa1-xAs n-типа / Л.С. Драгунова // Системы анализа и обработки данных .— 2013 .— №3 .— С. 111-118 .— URL: https://rucont.ru/efd/264713 (дата обращения: 06.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

– № 3(52) ФИЗИКА УДК 536.298: 573.311.9 Влияние деформации на электропроводность варизонных пленок AlxGa1–xAs n-типа* Л.С. ДРАГУНОВА, В.П. ДРАГУНОВ Проведен анализ влияния деформации на электропроводность варизонных пленок AlxGa1–xAs n-типа. <...> Показано, что при интерпретации экспериментальных результатов по влиянию деформации на проводимость твердых растворов AlxGa1–xAs необходимо учитывать L-минимумы. <...> ВВЕДЕНИЕ Одной из задач, стоящих перед разработчиками тензопреобразователей, является поиск материалов, перспективных для создания датчиков давления. <...> В настоящее время к таким материалам относят и твердые растворы на основе соединений А3В5. <...> По сравнению с кремниевыми тензопреобразователями в тензопреобразователях на основе твердых растворов можно не только варьировать концентрацию легирующих примесей, но и изменять состав. <...> По сравнению с кремнием при моделировании процессов, происходящих в твердых растворах, дополнительно необходимо учитывать возможные изменения электронного сродства и варизонность, наличие энергетических минимумов разного типа и связанные с ними примесные состояния. <...> Все это существенно усложняет интерпретацию экспериментальных результатов, особенно для кристаллов, близких по составу к области разнодолинного перехода. <...> Большая ширина запрещенной зоны, высокая подвижность электронов и возможность получения полуизолирующих слоев делают его привлекательным для создания электронных компонентов. <...> В последнее время структуры на основе GaAs интенсивно исследуются в связи с разработкой микроэлектромеханических резонаторов, переключателей и варакторов СВЧ-диапазона, а также с разработкой и созданием высокотемпературных тензопреобразователей [1]. <...> Следует отметить, однако, что непосредственно GaAs n-типа слабо изменяет свою электропроводность при деформации [2, 3]. <...> В то же время в работе [4] было обнаружено, что в твердых растворах AlGaAs n-типа изменения электропроводности при деформации могут <...>