Физика полупроводников и полупроводниковых приборов (190,00 руб.)

Л.В. Бочкарева, А.С. Рудый, А.Б. Чурилов Физика полупроводников и полупроводниковых приборов Методические указания Рекомендовано Научно-методическим советом университета для студентов, обучающихся по специальности Микроэлектроника и полупроводниковые приборы Ярославль 2007 УДК 539.2 ББК В 379.2я73 Б 72 Рекомендовано Редакционно-издательским советом университета в качестве учебного издания. <...> П.Г. Демидова Бочкарева, Л.В. Физика полупроводников и полупроводниковых приборов: метод. указания / Л.В. Бочкарева, Б 72 <...> Предназначены для студентов, обучающихся по специальности 010803 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы (дисциплина «Физика полупроводников и полупроводниковых приборов», блок ОПД), очной формы обучения. <...> УДК 539.2 ББК В 379.2я73 © Ярославский государственный университет, 2007 © Л.В. Бочкарева, А.С. Рудый, А.Б. Чурилов, 2007 2 Лабораторная работа №1 Влияние температуры на электропроводность полупроводников Цель работы: исследование влияния температуры на электропроводность монокристаллов германия в области температур 293 – 500 K, экспериментальное определение ширины запрещенной зоны. <...> Изучение температурной зависимости сопротивления полупроводников и определение энергии активации В отличие от дискретного значения энергии электрона в изолированном атоме энергетический спектр электронов в кристалле представляет собой полосы или зоны разрешенных значений энергии, разделенных зонами запрещенных энергий. <...> В полупроводнике верхняя, целиком заполненная зона, образованная уровнями валентных электронов атомов, называется валентной зоной (v – зона); нижняя из свободных от электронов зон, образовавшаяся расщеплением пустых незанятых уровней, является зоной проводимости (c – зона). <...> Ширина запрещенной зоны (Eg), их разделяющей, характеризует основные свойства полупроводникового материала. <...> Поэтому при температуре выше 0 K некоторая часть электронов валентной зоны вследствие теплового возбуждения перейдет <...>