Физическая кинетика полупроводников (190,00 руб.)

Первый автор	Кузнецова И. А.
Авторы	Яросл. гос. ун-т
Издательство	ЯрГУ
Страниц	104

190,00р Предпросмотр

ID	200164
Аннотация	Основное внимание в учебном пособии уделено изложению линейной классической теории стационарных явлений переноса в полупроводниках. Рассмотрен наиболее простой случай сферически-симметричной энергетической зоны. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в тонких проволоках в переменном электрическом поле. Пособие написано на основе лекционного курса, читаемого автором в течение ряда лет для студентов физического факультета ЯрГУ. Вместе с тем пособие не является конспектом лекций, поскольку содержит дополнительный материал для желающих изучить предмет более глубоко.
Кем рекомендовано	Научно-методическим советом университета для студентов специальности Микроэлектроника и полупроводниковые приборы и направления Физика
Кому рекомендовано	Предназначено для студентов, обучающихся по направлению подготовки 510400 Физика и по специальности 014100 Микроэлектроника и полупроводниковые приборы (блок 011Д, дисциплина «Физическая кинетика полупроводников»), очной формы обучения.
ISBN	978-5-8397-0502-9
УДК	531.3+537.311.322
ББК	В379.35я73

Кузнецова, И. А. Физическая кинетика полупроводников : учеб. пособие / Яросл. гос. ун-т; И. А. Кузнецова .— Ярославль : ЯрГУ, 2006 .— 104 с. — ISBN 5-8397-0502-0 .— ISBN 978-5-8397-0502-9 .— URL: https://rucont.ru/efd/200164 (дата обращения: 21.05.2024)

Предпросмотр (выдержки из произведения)

И.А. Кузнецова Физическая кинетика полупроводников Учебное пособие Рекомендовано Научно-методическим советом университета для студентов специальности Микроэлектроника и полупроводниковые прнбпры и направления Физика. <...> ISBN 5-8397-0502-[J(078- 58307705019) Ocnnmmc внимание н учебном пособии уделено изложению лшгейной юлщ'сичсшшй теории стационарных явлений перешли в пилупрошдщшкшс. <...> Рашмтрпп паибплоо пристой случай птферически-гитматричной энергетической зоны Отдельная глава ппсвящспа размерным эффектам в тонких прошивках в переменном метрическим mun Пособие пшшсшш на основе ЛЕКЦИОННЫГЦ nypcu, ЧИТЕЕМОТ‘П НЛТПРОЪ—Е D 'l‘CE‘ICIIMC pill—I'd ЛЕТ ДЛЯ СТУДЕНТОВ физическтго факультета ЯрГУ. <...> Статистика носителей заряда в металлах и полупрон Оглавлвние 30,715me 1.1. <...> . . . . . Кинетическое уравнение Бошщманн для электронов в кристалле . <...> Время релаксации при рнкшсянни носителей тока на ионах ПРИМЕСИ <...> Кинетическое уравнение Больцмана для электронов в кристалле <...> Условия применимым кинетического уравнения Кинетические процессы (явления переноса) в полупроводниках 3.1. <...> Определение неравновесной функции распределения для ЪЦЪЁК'ГРОПОВ ПРОПОДИМОСТИ В ШХУЧЫЕ! <...> Элшкч-ричошшй ток в нов ырождшшых полуирч'шодпикдх 1‘ простой зонной структурой Электрон;юводность поныршкдспнмх полупровошщков (I прости? зонной структурой . <...> Эффект Холла и магпегосопротхшлспие и примет пом “шлущювсщннко п-типа. проищшмоьти . <...> Эффект Холла и магии!ошпрптшшепие в “unyupnnommxax CU (ЁМОЪЦЫППОЙ ПЪЮВОДИМОСТЬН). <...> . . ”1ёрмоэлек'гричсскис явления и пепырпждсиных полупроводниках ‹.: простой ионной структурой 3,5. l . <...> Эффект11срн(“ш—Эттинпчнужна в полупроводниKC (ТО СМСНЦШППОЙ ПРОВОДЫМОС'Т‘ЬК) . Нашими трепеща в полупропщлнмхах с простой зоной при пропхншгьном вырождении-1 <...> Электропроводность тонкой цилиндрической проволоки на переменном электрическом поле . <...> Уравнение Больцмана для вырожденного электронного ища в шабом переменном электрическом пиле . <...> . . . . . . . _ . . . . Введение Яшпепин <...>

Физическая_кинетика_полупроводников_.pdf