Деградация светодиодов на основе гетероструктур нитрида галлия и его твёрдых растворов А.Г. ПОЛИЩУК, А.Н. ТУРКИН 1 Компания «ПРОСОФТ», МГУ им. <...> М.В. Ломоносова Полупроводниковые структуры на основе нитридов элементов III группы (GaN, AlN, InN, а также соединения типа AlGaN и InGaN) являются перспективными оптоэлектронными материалами с широким спектром практических применений: активные среды лазерных диодов, транзисторы, голубые, зелёные и белые (люминофорные) светодиоды (СД) и др. <...> О светодиодах на основе GaN гетероструктур водниковых оптоэлектронных устройств на основе На сегодня развитие полупрогетероструктур нитрида галлия и его твёрдых растворов идёт очень высокими темпами. <...> Рекордсменами здесь являются разработки полупроводниковых ИС на основе данных гетероструктур – указанных выше СД. <...> Темпы роста показателей этих СД – просто фантастические, и опережают все оценки начала 2000 гг. <...> . Достигнутый уровень энергоэффективности СД, а также широкий спектр оттенков белого цвета (Тц = 2600–10 000 К), позволяют использовать их во всех традиционных областях применения, таких как световая сигнализация, внутреннее, наружное и архитектурное освещение. <...> А такие свойства СД как большой срок службы, высокая стабильность светотехнических характеристик и низкое энергопотребление делают их исключительно перспективными для решения актуальной проблемы энергосбережения. <...> 1 E-mail: turkin@xlight.ru 44 Актуальность темы исследования деградации GaN гетероструктур Важной особенностью СД служит то, что они через 50–100 тыс. ч не выходят из строя, в отличие от традиционных ламп. <...> При этом вопрос оценки этого снижения, т. е. деградации СД, приобретает в таком случае особую актуальность. <...> Стоит подчеркнуть, что в последние годы многие исследовательские группы серьёзно занялись вопросами деградации светодиодных гетероструктур на основе GaN и его твёрдых растворов. <...> И одно из основных мест в нём занимает деградация излучающих структур и их предельные <...>